Nowinki ze świata pamięci komputerowych

8-gigowe pamięci flash w drodze

Samsung ogłosił rozpoczęcie produkcji 8-gigowych kości pamięci flash NAND. Moduły składają się z dwóch układów, po 4 rdzenie 8 Gbit każdy i wykonane są w procesie produkcyjnym 60 nm.
Według Samsunga popyt na pamięć wśród użytkowników aparatów fotograficznych i telefonów stale rośnie, więc firma chce wyjść naprzeciw tym zapotrzebowaniom. Dodatkowo wchodzi powoli do użycia standard SD High Capacity, który według specyfikacji przewiduje karty od 2 do 32 GB, trzeba zatem pracować nad zwiększaniem pojemności układów.
Pamięci będą dostępne jeszcze w tym kwartale.
Źródło: Chip.pl

Sandisk – karta SDHC 4 GB

Sandisk dołączył do grona producentów kart pamięci SD High Capacity prezentując swój własny produkt o pojemności 4 GB i gwarantowanej minimalnej prędkości 2 MB/s.
Tak jak produkty Panasonica i Toshiby, kosztująca 200$ karta Sandiska nie jest kompatybilna wstecz, ze standardem SD/MMC, więc można uznać, że na razie jest to produkt nieco na wyrost, ponieważ na rynku prawie nie ma urządzeń obsługujących karty SDHC.
W komplecie wraz z kartą dodawany jest gratis, wart około 20$, czytnik kart SDHC o nazwie MicroMate, kompatybilny z USB 2.0.

Źródło: Chip.pl

Kości DDR sprzedają się lepiej niż DDR2

Według danych zebranych przez witrynę DRAM Exchange, pamięci DDR dalej sprzedaje się na rynku więcej niż DDR2. Podczas pierwszego kwartału 2006 cały rynek pamięci DRAM wart był prawie 5 miliardów dolarów, z czego 58.2% stanowiły DDRy "jedynki", a tylko 29.1% "dwójki".
Najwięcej, bo aż 55.5% całości, sprzedanych zostało kości 512-megowych, drugie miejsce przypadło w udziale pamięciom 256 MB – 21.3%. Cały czas wzrasta również sprzedaż gigowych kości.
Wśród producentów modułów pamięci statystyka rozkładała się następująco: Kingston – 19.5%, A-Data – 6.1%, SMT – 5.9%, Crucial – 3.9%, Ramaxel – 3.8%, Corsair – 3%, Transcend – 2.5% i Kingmax – 2.2%
Źródło: Chip.pl

Dwie nowe fabryki pamięci flash

SanDisk i Toshiba ogłosiły dziś plany wydania
3 miliardów dolarów na spółkę joint venture nazwaną Flash Alliance Ltd. Oraz następnych 5.2 miliarda na nienazwaną jeszcze fabrykę w północnej Japonii.
Według SanDiska powodem podjęcia takich kroków jest zwiększające sie zapotrzebowanie na pamięci NAND – Flash Alliance uzyska zdolność produkcyjną w 2008 roku i będzie produkować 67 tysięcy wafli miesięcznie, a w przyszłości może nawet 100 tysięcy.
Łącznie z Flash Alliance, Toshiba i SanDisk będą mieć już cztery fabryki pamięci.
Źródło: Chip.pl

MRAM debiutuje

Firma Freescale jako pierwsza na świecie rozpoczęła produkcję pamięci Magnetoresistive RAM (MRAM), która łączy w sobie zalety dotychczasowych modułów RAM, dysków twardych i pamięci flash.
Tradycyjne pamięci DRAM i SRAM są bardzo szybkie, ale potrzebują ciągłego zasilania, by nie stracić danych. Dyski twarde przechowują dane również po odpięciu zasilania, ale czas dostępu do danych jest o kilka rzędów wielkości dłuższy niż w przypadku pamięci RAM i zajmują sporo miejsca. Flash z kolei zapewnia wprawdzie przechowywanie danych bez zasilania i całkiem niezły czas dostępu do nich (chociaż nadal sporo większy niż RAM) oraz małe rozmiary, ale prędkość transferu jest bardzo niska. MRAM ma łączyć prawie wszystkie zalety pozostałych typów nośników, będąc pozbawionym większości ich wad: jest szybki, nie traci informacji po odłączeniu zasilania i zajmuje mało miejsca. Jedyna wadą jest niewielka pojemność.
Nowy typ pamięci najprawdopodobniej zawojuje najpierw urządzenia przenośne i przemysłowe komputery specjalizowane.
Źródło: Chip.pl

A-Data przedstawi pamięci DDR3

Podczas rozpoczynającego się jutro Computex'u A-Data chce przedstawić swoje pierwsze moduły pamięci w nowym standardzie DDR3. Wspomniane moduły będą pracować z prędkością 1066 MHz - docelowo pamięci DDR3 mają osiągnąć prędkości na poziomie 1600 MHz. Moduły te posiadają 240 wyprowadzeń, po 120 na każdą ze stron, oraz wycięcie mające uniemożliwiać ich obsadzenia w płytach obsługujących starsze pamięci DDR lub DDR2. Pamięci DDR3 będą wykorzystywane między innymi przez czterordzeniowe procesory AMD, bazujące na rdzeniu o kodowej nazwie K8L, które pojawią się w 2008 roku. Wcześniejsze plany Intela zakłady wsparcie dla nich jeszcze przed końcem tego roku - obecnie mówi się o terminie co najmniej o rok późniejszym.
Źródło: TwojePC

Nowe pamięci Corsair DDR2 z EPP

Firma Corsair Memory wprowadza na rynek nowe zestawy pamięci DDR2 - dostępne są moduły DDR2-1066 i DDR2-800, sprzedawane w parach o łącznej pojemności 2 GB. Pamięci te korzystają z rozwiązania o nazwie EPP (Enhanced Performance Profiles), które zostało opracowane wspólnie przez firmy nVidia i Corsair - EPP zapisuje dodatkowe informacje w pamięci SPD, dzięki czemu płyta główna może automatycznie ustawić znacznie większą ilość parametrów niż dotychczas. Moduły pamięci DDR2 1066 noszą oznaczenie TWIN2X2048-8500C5 i pracują przy ustawieniach CL5-5-5-15 i napięciu 2,2V. Z kolei pamięci o oznaczeniu TWIN2X2048-6400C4 pracują w trybie DDR2 800 przy ustawieniach CL4-4-4-12 i tym samym napięciu.
Źródło: TwojePC

msystems dwukrotnie zwiększa pojemność układów flash

Firma msystems poinformowała o opracowaniu nowego sposobu produkcji układów pamięci flash typu NAND. Pozwala ona na czterokrotne zwiększenie ich pojemności bez konieczności dokonywania zmian w procesie produkcyjnym.
Technologia x4 pozwala na przechowywanie 4 bitów danych w pojedynczej komórce pamięci. Dotychczas uznawano, że nie jest możliwe stworzenie takich kości. Masowa produkcja układów x4 ma się rozpocząć już w przyszłym roku. Dotychczas najbardziej zaawansowaną technologią produkcji pamięci flash, była multi-level cell (MLC), która pozwalała na przechowywanie dwóch bitów w jednej komórce. W porównaniu z nią technologia x4 pozwali na 30% redukcję kosztów produkcji.
msystems opracowała również nowy, bardziej zaawansowany algorytm korekcji błędów, gdyż przy zwiększaniu gęstości upakowania danych zwiększa się też liczba występujących błędów.
Źródło: Chip.pl

Samsung dostarcza już 80-nanometrowe układy DDR2

Samsung Electronics informuje o rozpoczęciu produkcji ograniczonych ilości 80-nanometrowych układów DDR2. Koreańska firma wyprzedziła więc Elpidę, która na razie była w stanie dostarczyć jedynie próbki swych kości wykonanych w tej technologii.
Jak informuje Samsung, przejście z 90- na 80-nanometrowy proces zwiększy wydajność produkcji o 50% i pozwoli zaspokoić rosnące zapotrzebowanie na układy DDR2. Przejście na nowy proces produkcyjny okazało się dość łatwe, gdyż można podczas niego wykorzystać większość technik i urządzeń, które służą do produkcji 90-nanometrowych kości.
Źródło: Chip.pl

Freecom w w 1 calu

Freecom prezentuje zewnętrzny dysk twardy o wymiarach, wynoszących 1". ToughDrive XXS jest w stanie pomieścić do 6GB danych, a jego waga wynosi 55 gramów. Urządzenie jest nie tylko odporne na wstrząsy, ale może przetrwać upadek z 2 metrów. ToughDrive XXS jest wyposażony w wysuwany i zintegrowany z obudową kabel USB 2.0. Urządzenie jest w 100% zasilane z portu USB. Dysk ToughDrive XXS wraz z zintegrowanym kablem USB, oprogramowaniem Freecom Personal Media Suite oraz instrukcją obsługi na CD będzie niebawem dostępny w sprzedaży w polskich sklepach, a jego sugerowana cena brutto dla klienta końcowego wyniesie 575 PLN. Tak jak w przypadku wszystkich innych produktów Freecom oferuje 2 letnią gwarancję oraz wsparcie techniczne.
Podstawowe informacje:
- Pojemność: 6 GB (wkrótce 8GB)
- Wymagania systemowe: Pentium III 700 Mhz lub wyższy, 128 MB RAM, WIN 2000/XP - Mac OS X lub więcej
- Oprogramowanie Freecom Personal Media Suite (włącznie z funkcją zapisu i synchronizacji)
- Waga: 55 g, wymiary: 75x53x15 mm
Źródło: TwojePC

Toshiba i SanDisk wspólnie zbudują fabrykę pamięci NAND

Korporacje Toshiba oraz SanDisk postanowiły wspólnie wydać około 500 miliardów jenów (czyli 4,3 miliarda dolarów) na budowę nowej fabryki pamięci flash w Japonii.
Pamięci NAND flash znajdują zastosowanie w przenośnych urządzeniach elektronicznych, takich jak aparaty cyfrowe czy też odtwarzacze audio.
Budowa fabryki, która stanie w Yokkaichi w zachodniej Japonii, rozpocznie się pod koniec tego roku, produkcja kart flash ma natomiast ruszyć najwcześniej w 2007 r.
Źródło: Chip.pl

Nowe pamięci Patriot DDR2 667

Patriot - PDP Systems wprowadza do sprzedaży nową serię pamięci o nazwie DDR2 667 Extreme Performance. Moduły o nazwie Patriot DDR2 667 (PC2-5300) Low Latency Kits pracują w trybie DDR2 667 przy ustawieniach CL-4-4-4-12 i napięciu zasilającym od 1,8 do 1,9V a w sprzedaży dostępne są zestawy o pojemności 1 GB (dwa moduły o pojemności 512 MB każdy o oznaczeniach PDC21G5300LLK) oraz 2 GB (ponownie dwa moduły, każdy o pojemności 1 GB, o oznaczeniach PDC22G5300LLK). Moduły wyposażone są w oryginalne, żebrowane radiatory, o zwiększonej powierzchni rozpraszania ciepła oraz przeszły rygorystyczne testy kompatybilności z najnowszymi platformami, opartymi na chipsetach Intel 955 i nVidia NF4 SLI Intel Edition.
Źródło: TwojePC

Zestaw pamięci Patriot DDR2 4GB

W sprzedaży dostępne są kolejne pamięci PDP Patriot z serii Signature Line - jest to zestaw dwóch modułów pamięci DDR2 533 o łącznej pojemności 4 GB, przygotowany do pracy w trybie DualChannel. Oznaczenie tego zestawu to PSD24G533KH - składają się na niego dwa moduły po pojemności 2 GB każdy, pracujące w trybie DDR2 533 przy ustawieniach CL4-4-4-12 oraz napięciu zasilającym 1,8V. Moduły wyposażone są także w aluminiowe radiatory w kolorze niebieskim i objęte są dożywotnią gwarancją. Producent zapewnia także, że pamięci te były testowane pod względem kompatybilności z chipsetami Intel 955 i umożliwiają obsadzenie w czterech bankach łącznie 8GB pamięci.
Źródło: TwojePC

Szybka karta pamięci firmy Pretec

Pretec 133X CF to nowa karta pamięci typu Compact Flash w ofercie firmy Pretec Electronics. Nowość wyróżnia się na rynku dużą prędkością transferu danych.
Firma zaprezentowała nowy produkt o pojmeności 4GB podczas międzynarodowych targów fotograficznych PMA 2006, w amerykańskim mieście Orlando na Florydzie.
Karta 133X CF odczytuje i zapisuje dane z prędkością odpowiednio 20MB/s i 14MB/s. Ponadto jest w pełni zgodna ze standardem ATA/ True IDE i współpracuje z platformami o napięciu 5V oraz 3,3V.
Nowość w ofercie firmy Pretec wejdzie do sprzedaży w marcu. Cena nowej karty nie jest znana.
Źródło: 4press.pl

Infineon się dzieli

Niemiecki koncern Infineon poinformował podczas dorocznego spotkania udziałowców o planach odłączenia od przedsiębiorstwa oddziału zajmującego się produkcją pamięci.
Oddział ten miałby funkcjonować jako zupełnie niezależna firma. Jej nazwa nie została jeszcze określona. Po dokonaniu podziału Infineon skoncentruje się na operacjach logistycznych.
Nowa spółka miałaby rozpocząć działalność 1 lipca 2006 r.
Źródło: Chip.pl

Rosną ceny układów pamięci

Gwałtownie rosną ceny układów DRAM. Kości DDR2 zdrożały w drugiej połowie stycznia br. aż o 18%. Ceny podnieśli dwaj wielcy koreańscy producenci układów - Samsung Electronics i Hynix Semiconductor - do których należy ponad 40% światowego rynku pamięci DRAM. Układy Hyniksa zdrożały w hurcie o 5-10%. Samsung nie ujawnił, jak bardzo zwiększył ceny. Jego przedstawiciel, mówiąc o ich wzroście, użył jedynie sformułowania "znaczący".
Źródło: Chip.pl

Pamięć SRAM w technologii 45 nanometrów

Intel zaprezentował najprawdopodobniej pierwsze w pełni funkcjonalne układy pamięci SRAM (Static Random Access Memory) wykonane w procesie technologicznym 45 nanometrów.
Najnowsze osiągnięcie Intela dowodzi, że firma jest na najlepszej drodze do rozpoczęcia w 2007 roku produkcji układów w technologii 15 nm z wykorzystaniem 300-milimetrowych wafli krzemowych. Oznacza to kontynuację dalszego rozwoju zgodnie z Prawem Moore’a poprzez nową generację procesu technologicznego co dwa lata.
Źródło: Chip.pl

Ośmiogigabajtowe kości Samsunga dla serwerów

Samsung Electronics opracował technologię, która pozwoli na połączenie w jednym układzie trzydziestu dwóch dwugigabitowych kości DDR2 DRAM. W ten sposób koreańska firma jest w stanie wyprodukować układ pamięci FB-DIMM o pojemności 8 gigabajtów. To najprawdopodobniej najbardziej pojemne z dotychczas dostępnych kości. Samsung zaoferuje je producentom serwerów.
Źródło: Chip.pl